Коэффициенты фотоэлектрического преобразования для различных типов фотоэлементов
Максимальные достигнутые коэффициент фотоэлектрического преобразования для различных типов фотоэлементов.
Измерения получены в лабораторных условиях.
Фотоэлементы на основе кремния
тонкопленочный, до 16,6%
аморфный, до 9,5%
нанокристаллический, до 10,1%
кристаллический, до 24,7%
поликристаллический, до 20,3%
тонкопленочный, до 16,6%
аморфный, до 9,5%
нанокристаллический, до 10,1%
Фотоэлементы на основе арсенида галлия GaAs и фосфида индия InP GaAs кристаллический, до 25,1%
GaAs тонкопленочный, до 24,5%
GaAs поликристаллический, до 18,2%
InP кристаллический, до 21,9%
GaAs тонкопленочный, до 24,5%
GaAs поликристаллический, до 18,2%
InP кристаллический, до 21,9%
Фотоэлементы изготовленные по CIGS технологии
Cu(In,Ga)Se2, до 19,9%
CdTe, до 16,5% Фотоэлементы, изготовленные по принципу слоистых структур
GaAs — CuInSe2, до 25,8%
аморфный Si — монокристаллический Si, до 11,7%
GaInP — GaAs — Ge, до 32,0%
GaInP — GaAs, до 30,3%
GaAs — CuInSe2, до 25,8%
аморфный Si — монокристаллический Si, до 11,7%
Фотоэлементы на основе органических материалов
органические красители, до 10,4%
полимеры, до 5,15%